ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU

12 июня 2017 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет всех с Днем России!

22-26 мая 2017 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в семинаре "Управление научной деятельностью и ее результатами", проходившей в Москве, Россия.

9 мая 2017 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет всех с Днем Великой Победы!

3-5 апреля 2017 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMAL, MECHANICAL AND MULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTS IN MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEMS, EUROSIME 2017", проходившей в Дрездене, Германия.

8 марта 2017 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет всех женщин с Международным женским днем 8 марта!

23 февраля 2017 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет вас с Днем Защитника Отечества.

8 февраля 2017 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет вас с Днем российской науки! Великий русский ученый Илья Мечников говорил: у людей нет силы более мощной и победоносной, чем наука. Сегодня эти слова актуальны как никогда прежде.

1-3 февраля 2017 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в "11-ой Всероссийской конференции Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", проходившей в Санкт-Петербурге, Россия. Был представлен доклад: "" (тезисы, доклад).

31 декабря 2016 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет всех наступающим Новым Годом!

6-8 декабря 2016 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в 19-й Всероссийской молодежной научной школе-семинаре "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники", проходившей в Ульяновске, Россия. Был представлен доклад "".

17 октября 2016 г.

Объявлен конкурс на замещение вакантной должности: Заместитель директора по научной работе.

21-23 сентября 2016 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016", проходившей в Будапеште, Венгрия. Был представлен доклад "Experimental Study of Electroluminescence And Temperature Distribution In High-Power AlGaInN LEDs & LED Matrixes".

31 августа 2016 г.

Опубликован "Приказ о назначении на должность директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук Устинова Виктора Михайловича".

8 июля 2016 г.

В 14 часов состоялись выборы директора НТЦ микроэлектроники РАН.

28 июня 2016 г.

ОБЪЯВЛЕНИЕ

8 июля 2016 г. в 14 часов в помещении 602 корпуса микроэлектроники состоится собрание трудового коллектива НТЦ микроэлектроники РАН. Повестка дня - выборы директора НТЦ микроэлектроники РАН.

7 июня 2016 г.

В 16 часов в кабинете № 604 (корпуса микроэлектроники) состоялось заседание Учёного совета НТЦ микроэлектроники РАН. Повестка дня включала следующие вопросы: 1. Выдвижение кандидатур на должность директора НТЦ микроэлектроники РАН. 2. Утверждение Положения о конкурсной комиссии (см. приложение) и выборы конкурсной комиссии НТЦ микроэлектроники РАН. 3. Утверждения Плана научно-исследовательской работы НТЦ микроэлектроники РАН в рамках комплексного плана научных исследований «Сверхвысокочастотная полупроводниковая электроника» на 2016-18 гг.

25 мая 2016 г.

Выпущена брошюра "Основные направления исследований НТЦ микроэлектроники РАН".

10 мая 2016 г.

НТЦ микроэлектроники РАН подали заявку на участие в конкурсе "2.1 Проведение исследований в рамках международного многостороннего и двустороннего сотрудничества".

17-20 апреля 2016 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "17TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMAL, MECHANICAL AND MULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTS IN MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEMS, EUROSIME 2016", проходившей в Монпелье, Франция.

6 апреля 2016 г.

В НТЦ микроэлектроники РАН прошли выборы ученого совета.

8 марта 2016 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет всех женщин с Международным женским днем 8 марта!

3 марта 2016 г.

Впервые использован динамически управляемый источник света, разработанной в НТЦ микроэлектроники РАН, в качестве специальной подсветки картин на выставке "Окна" при поддержке "Арт Холдинг Татьяны Никитиной".

23 февраля 2016 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет вас с Днем Защитника Отечества.

8 февраля 2016 г.

Уважаемые коллеги, дорогие друзья! НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет вас с Днем российской науки! Великий русский ученый Илья Мечников говорил: у людей нет силы более мощной и победоносной, чем наука. Сегодня эти слова актуальны как никогда прежде.

22 декабря 2015 г.

Опубликован "Приказ о возложении временного исполнения обязанностей директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук на Устинова Виктора Михайловича".

17 декабря 2015 г.

Опубликованы основные результаты по 3 этапу НИР "Разработка методов и аппаратуры для исследования и контроля тепловых процессов в мощных полупроводниковых излучающих приборах на основе гетероструктур". Соглашение о предоставлении субсидии от 05.06.2014 г. №14.607.21.0010, с доп. соглашением № 1 от 08.06.2015 г.

2 декабря 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в научно-практической конференции по итогам реализации в 2015 году прикладных научных исследований и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям в рамках федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 – 2020 годы".

1-7 ноября 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "The 2nd Meeting of BRICS SSL Collaboration Working Group", проходившей в китайском городе Шэньчжэнь.

20-21 октября 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в конференции "Центры коллективного пользования и уникальные научные установки в организациях, подведомственных ФАНО России", проходившей в Москве, Россия.

15-17 сентября 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной специализированной выставке "ИМПОРТОЗАМЕЩЕНИЕ", проходившей в Москве, Россия. Были представлены результаты выполнения работ при поддержке Минобрнауки России (Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0010 от 05.06.2014, уникальный идентификатор: RFMEFI60714X0010).

10-13 июня 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "15th International Conference on Environment and Electrical Engineering, IEEE 2015", проходившей в Риме, Италия.

29 мая 2015 г.

Опубликована статья "Thermal resistanse and nonuniform distribution of electroluminescence and temperature in high-power AlGaInN light-emitting diodes".

19-22 апреля 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMAL, MECHANICAL AND MULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTS IN MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEMS, EUROSIME 2015", проходившей в Будапеште, Венгрия.

23-25 марта 2015 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в "10-ой Всероссийской конференции Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", проходившей в Санкт-Петербурге, Россия. Был представлен доклад: "" (тезисы, доклад).

16 марта 2015 г.

На базе НТЦ микроэлекторники РАН создан ЦКП "Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология" (приказ).

7-9 ноября 2014 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "The First Meeting of BRICS SSL Collaboration Working Group", проходившей в Гуанчжоу, Китай.

7-9 апреля 2014 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMAL, MECHANICAL AND MULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTS IN MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEMS, EUROSIME 2014", проходившей в Генте, Бельгия.

2013 г.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Центр передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

26 сентября 2013 г.

Успешное сдача 4 этапа и завершение ГК 12.527.12.5006.

11-13 сентября 2013 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling (LFNM), IEEE 2013", проходившей в Судаке, Украина.

5 июля 2013 г.

Успешная сдача 3 этапа ГК 12.527.12.5006.

13-15 июня 2013 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в "9-ой Всероссийской конференции Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", проходившей в Санкт-Петербурге, Россия. Был представлен доклад: "" (тезисы, доклад).

14-17 апреля 2013 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMAL, MECHANICAL AND MULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTS IN MICROELECTRONICS AND MICROSYSTEMS, EUROSIME 2013", проходившей в польском городе Вроцлав.

12 декабря 2012 г.

Успешная сдача 2 этапа ГК 12.527.12.5006.

5 октября 2012 г.

Успешная сдача 1 этапа ГК 12.527.12.5006.

2012 г.

Светодиодные системы освещения: энергоэффективность, зрительное восприятие, безопасность для здоровья (обзор).

2012 г.

О биологическом эквиваленте излучения светодиодных и традиционных источников света с цветовой температурой 1800–10000 K.

2012 г.

Цветодинамически управляемый операционный светильник с полноцветным светодиодом.

1 января 2012 г.

Опубликована статья "Concerning Biological Equivalent of Radiation of Light-Emitting Diode and Lamp Light Sources with Correlated Colour Temperature of 1800 K-10000 K".

13 декабря 2011 г.

Изменен тип и наименование Центра: с "Учреждения Российской Академии наук Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН" на "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской Академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН)".

26-28 мая 2011 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в "8-ой Всероссийской конференции Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы", проходившей в Санкт-Петербурге, Россия. Был представлены доклады: "Биологический эквивалент излучения светодиодных и ламповых источников освещения с цветовыми температурами Tс = 1800-10000K" (тезисы, доклад), "Светодиодный полихромный управляемый источник света для хирургии" (тезисы, доклад), "Теоретический анализ и экспериментальное исследование электрооптических и тепловых характеристик мощных InGaN/GaN излучающих кристаллов флип-чип конструкции" (тезисы, доклад).

11 мая 2011 г.

Известные картины в новом свете.

17-19 апреля 2011 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в "Международной выставке светодиодных решений, чипов и оборудования для их производства", проходившей в Москве, Россия. Был представлен доклад "Актуальные вопросы метрологического обеспечения разработки и применения высокомощных светодиодов (тепловые, электрические и фотометрические измерения)" (тезисы).

2010 г.

О современных мощных светодиодах и их светотехническом применении.

2010 г.

Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками.

2010 г.

Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии.

21-26 июня 2010 г.

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology, 18th International Symposium XIII", проходившем в Санкт-Петербурге, Россия. Был представлен доклад "New lighting technologies based on RGB LEDs with smart control" (тезисы).

6 сентября 2009 г.

Жорес Алферов раскрывает секрет экономии на лампочках.

3 октября 1991 г.

Создание Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе в соответствии с постановлением Президиума Академии наук СССР № 75, с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.