ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
EN / RU ОНИТ РАН

6 Октября 2021
Объявление

13 октября (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111)".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников)

Докладчик: Шубина К. Ю., м.н.с., лаб. наноэлектроники, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 604 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


1 Октября 2021
Общее собрание научных работников НТЦ микроэлектроники РАН

Уважаемые коллеги! В период с 01.10. по 07.10.2021 года проводится общее собрание научных работников НТЦ микроэлектроники РАН по вопросу внесения изменений в устав для приведения его в соответствие с нормами Федерального закона №157-ФЗ путем открытого заочного голосования. Выданный опросный лист для голосования должен быть каждым научным работником подписан лично и предоставлен в помещение №608в, 6-ой этаж Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (гор. С-Петербург, Политехническая улица, дом №26, литера З) либо сканирован с оригинала подписанного опросного листа в виде файла с расширением «pdf» и отправлен по адресу электронный почты: info@ntcm-ras.ru в срок не позднее 14:00 07.10.2021 г.
Приказ от 30.09.2021 г. №37 «О проведении общего собрания научных работников»



22 Июля 2021
Объявление

28 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Изготовление и исследование гибридных металл-диэлектрических наноструктур с органическими светоизлучающими слоями".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Морозов К.М., аспирант, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 602 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


20 Июля 2021
Награждение ведомственной наградой

За значительные заслуги в сфере науки и многолетний добросовестный труд
Цацульников Андрей Фёдорович, заместитель директора по научной работе,
награжден Почётной грамотой Минобрнауки России.


15 Июля 2021
Объявление

21 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Модификация вероятности спонтанной эмиссии в плазмонных, органических и полупроводниковых наноструктурах".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Белоновский А.В., инженер, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 602 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


21 Июня 2021
Выборы директора. Голосование.

Учёный совет решением от 18 июня 2021 г., протокол №5, утвердил дату проведения выборов директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук – 30 июня 2021 года.

Время (интервал) проведения голосования с 11:15 по 17:15.

Место голосования (регистрация бюллетеней):

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (гор. С-Петербург, Политехническая улица, дом №26, литера З), этаж 6-ой, помещение №608.




15 Июня 2021
Выборы Директора

Распоряжением Минобрнауки России от 08 июня 2021 года №190-р «Об утверждении кандидатур на должности руководителей научных организаций, подведомственных Министерству науки и высшего образования Российской Федерации» утверждены кандидатуры на должность директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук:

Устинов Виктор Михайлович;

Цацульников Андрей Фёдорович.

Подробная информация




27 Мая 2021
Премия Правительства Санкт-Петербурга

В целях сохранения и дальнейшего развития научного потенциала Санкт-Петербурга, стимулирования научно-технического развития и поощрения выдающихся ученых, работающих в научных организациях или образовательных организациях высшего образования, расположенных на территории Санкт-Петербурга, постановлением Правительства Санкт-Петербурга от 21.11.2005 №1788 «О премиях Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники» было учреждено двадцать ежегодных премий Правительства Санкт-Петербурга. 27 мая 2021 года в Актовом зале Смольного прошла торжественная церемония награждения учёных, удостоенных в 2021 году премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники.

Среди награжденных директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, член-корреспондент РАН, УСТИНОВ Виктор Михайлович.

Губернатор Санкт-Петербурга Александр Беглов вручил ему диплом о награждении Правительством Санкт-Петербурга премией имени Ж.И. Алфёрова в области нанотехнологий за 2021 год и памятную медаль.

Фото галерея




7 Мая 2021
С Днем Победы

Уважаемые коллеги!
9 мая мы отмечаем 76 годовщину победы в Великой Отечественной войне – День Победы!
Это день славы, гордости нашего народа, день наивысшего почитания поколения победителей.
Это день священной памяти о тех, кто сложил свою голову на полях сражений и отдал жизнь в борьбе с фашизмом.
Мужество, стойкость и самоотверженность поколения победителей живет в нашей памяти и сегодня является примером для всех нас.
Поздравляем всех работников и их близких с Днём Победы, желаем крепкого здоровья, бодрости духа и благополучия!



7 Апреля 2021
Лидеры России

31 марта 2021 года началась регистрация на четвёртый конкурс «Лидеры России» - флагманский проект президентской платформы «Россия - страна возможностей».


19 Марта 2021
Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук
академика РАН Красникова Геннадия Яковлевича.


9 Марта 2021
Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства
Санкт-Петербурга Максимова Андрея Станиславовича.


9 Марта 2021
Юбилей НТЦ микроэлектроники РАН

В марте 2021 года исполняется 30 лет со дня основания Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук.


8 Февраля 2021

29 Декабря 2020

14 Декабря 2020
Объявление

22 декабря (вторник) в 14.00 состоится защита кандидатской диссертации на заседании диссертационного совета У.03.01.02 федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(специальность 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: г. Санкт-Петербург, ул. Хлопина 11, корп. 1, Высшая школа биомедицинских систем и технологий, ауд. 209

Защита будет проходить в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте https://www.spbstu.ru/dsb/07b6-thesis.pdf ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».


7 Декабря 2020
Объявление

10 декабря (четверг) в 16.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Вознюк Г.В., м.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


3 Декабря 2020
Объявление

9 декабря (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах")

Докладчик: Неженцев А.В., инженер, Кафедра квантовой физики и наноэлектроники, НИУ "МИЭТ".

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


20 Октября 2020
Объявление

28 октября (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Моделирование состава и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов тройных соединений III-V".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Лещенко Е. Д., ассистент факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники, Университет ИТМО.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

Для участия онлайн необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


23 Июня 2020
Объявление

29 июня (понедельник) в 14.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


Новости 1 - 20 из 184
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец