ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU ОНИТ РАН

10 Июля 2019
Объявление

17 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Гибридные структуры на основе III-V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)

Докладчик: Резник Р. Р., м.н.с., СПбАУ РАН, Университет ИТМО.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


8 Июля 2019
Объявление

15 июля (понедельник) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема:  "Исследование спонтанного излучения в периодических наноструктурах".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)

Докладчик: Иванов К. А., инженер, Университет ИТМО, МНЦ функциональных материалов и устройств оптоэлектроники.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


26 Июня 2019
Объявление

3 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»)

Докладчик: Федотов С. Д., научный сотрудник, ЛАИРТ АО «Эпиэл», Институт НМСТ НИУ МИЭТ.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.



21 Июня 2019
Защита

27 июня (четверг) 2019 г. в 10:00 на заседании диссертационного совета Д 002.205.02 при ФТИ им. А.Ф. Иоффе состоится защита диссертации на тему «Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 физика полупроводников.  
Соискатель к.ф.-м.н., Цацульников Андрей Федорович.
Место проведения: Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Большой актовый зал главного здания ФТИ им. А.Ф. Иоффе.



2 Марта 2019
Умер Жорес Алферов

Скончался лауреат Нобелевской премии Жорес Иванович Алферов
Один из создателей НТЦ микроэлектроники РАН
https://tass.ru/nauka/6177905




18 Февраля 2019
Объявление

21 февраля (четверг) в 12.00 в НТЦ микроэлектроники РАН пройдет семинар:

"Гетероструктуры со стимулированным фазовым распадом на основе III-N соединений"

Докладчик: Цацульников А.Ф., к.ф.-м.н., НТЦ Микроэлектроники РАН (по материалам докторской диссертации).

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


8 Февраля 2019

8 Февраля 2019
С Днем Российской Науки!

Уважаемые коллеги!
От имени Министерства науки и высшего образования Российской Федерации и от себя лично поздравляю вас с Днем российской науки!
С уважением, Михаил Котюков.

Поздравление Михаила Котюкова


27 Января 2019
Поздравление

27 января – День полного освобождения Ленинграда от фашистской блокады (1944 год).
Дорогие ветераны! Примите сердечные поздравления с важнейшей датой в исторической летописи нашей страны.
Мы низко кланяемся вам, дорогие ветераны, за то, что вы подарили нам возможность мирно жить и трудиться в сильной, свободной и независимой стране.

27 января 1944 года Ленинград салютовал 24 залпами из 324 орудий в честь полной ликвидации вражеской блокады - разгрома немцев под Ленинградом.

Городу-герою

Я прохожу по улицам твоим,
Где каждый камень — памятник героям.
Вот на фасаде надпись: «Отстоим!»
А сверху «р» добавлено: «Отстроим!»
С. Маршак


10 Января 2019
Объявление

Подана отчетная документация по второму этапу работ по Соглашение о предоставлении субсидии от 26.09.2017 № 14.604.21.0187 с Минобрнауки.
Тема «Разработка и исследование динамически управляемых полупроводниковых источников света для хирургии и методов их использования для контрастной визуализации биологических тканей».
Руководитель – д.ф.-м.н. В.М. Устинов.
Период выполнения 2017-2020 гг.
На сайте представлен реферат отчета.

Проекты ФЦП


31 Декабря 2018
Поздравление

Уважаемые коллеги, дорогие друзья!
НТЦ микроэлектроники РАН поздравляет Вас с наступающими Новым Годом и Рождеством!
И желает Вам в Новом году творческого и финансового роста, успешных заключений проектов и ответственных партнёров. И спасибо за то, что сотрудничаете с нами!


27 Декабря 2018
Новогоднее поздравление

Уважаемые коллеги!
Поздравляю Вас с Новым годом!
Желаю Вам и вашим родным крепкого здоровья, отличного настроения, успехов в работе, исполнения желаний.
Благодарю за сотрудничество.

Баранова Людмила Сергеевна


2 Ноября 2018
Конференция

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "International Multidisciplinary Conference “Frontiers of 21st Century Physics and Ioffe Institute", прошедшей 29 октября по 1 ноября 2018 в Санкт-Петербурге.

Программа празднования


23 Сентября 2018
Объявление

23 сентября 2018 года Физико-техническому институту исполнилось 100 лет! Торжества, связанные с юбилеем, традиционно приурочены ко дню рождения основателя института А.Ф. Иоффе. Празднование столетнего юбилея Института пройдет с 29 октября по 2 ноября.

Программа празднования


25 Июня 2018
Конференция

НТЦ микроэлектроники РАН приняло участие в международной конференции "14th Quantitative InfraRed Thermography Conference", прошедшей 25-29 июня 2018 в Берлине, Германия. https://www.qirt2018.de/


21 Июня 2018
Защита

На базе НТЦ микроэлектроники состоялась защита дипломной работы бакалавра на тему: "".


18 Июня 2018
Объявление

18-22.06 – Минск, Беларусь. Представлены доклады на 26-м Международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology".


3 Июня 2018
Объявление

03-08.06 – Нара, Япония. Представлены доклады на 19-й Международной конференции по МОС-гидридной эпитаксии.


3 Июня 2018
Объявление

03-06.06 – Москва, АО «НПП «Квант». Участие в работе Научно-технического совета по теме «Создание технологии и опытно-промышленной линии для изготовления фотоэлектрических преобразователей космического применения на основе многокаскадных гетероструктур AIIIBV»


28 Мая 2018
Объявление

28-31.05  С.-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Участие в VII Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ».


Новости 1 - 20 из 160
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец