ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN
/
RU
О КОМПАНИИ
О НАС
РУКОВОДСТВО
РЕКВИЗИТЫ
СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА
ОХРАНА ТРУДА
ДОКУМЕНТЫ
СТРУКТУРА
ВАКАНСИИ
ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
НАМ 30 лет
ДИПЛОМЫ
АТТЕСТАЦИЯ НАУЧНЫХ РАБОТНИКОВ
ТЕМАТИКА
РАЗРАБОТКИ
МЕТРОЛОГИЯ
ПРОЕКТЫ
НОВОСТИ
КОНТАКТЫ
ЦКП
Достижения за 2022
23 мая 2023 года на Общем собрании Российской академии наук Президентом РАН Геннадием Яковлевичем Красниковым была отмечена в числе достижений 2022 года работа коллектива НТЦ микроэлектроники РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Цацульникова Андрея Федоровича (Заварин Е.Е., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В.) по теме:
«Технология эпитаксиального роста гетероструктур на основе нитрида галлия для транзисторов и светодиодов на подложках кремния диаметром до 150 мм»
Возврат к списку