ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN
/
RU
О КОМПАНИИ
О НАС
РУКОВОДСТВО
РЕКВИЗИТЫ
СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА
ОХРАНА ТРУДА
ДОКУМЕНТЫ
СТРУКТУРА
ВАКАНСИИ
ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
НАМ 30 лет
ДИПЛОМЫ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ «Наука и университеты
ТЕМАТИКА
РАЗРАБОТКИ
МЕТРОЛОГИЯ
ПРОЕКТЫ
НОВОСТИ
КОНТАКТЫ
ЦКП
Достижения за 2022
23 мая 2023 года на Общем собрании Российской академии наук Президентом РАН Геннадием Яковлевичем Красниковым была отмечена в числе достижений 2022 года работа коллектива НТЦ микроэлектроники РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Цацульникова Андрея Федоровича (Заварин Е.Е., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В.) по теме:
«Технология эпитаксиального роста гетероструктур на основе нитрида галлия для транзисторов и светодиодов на подложках кремния диаметром до 150 мм»
Возврат к списку