Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (прежнее название Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе) был создан в соответствии с постановлением Президиума академии наук СССР № 75 от 19 марта 1991 г., с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.
Постановлением Президиума Российской академии наук от 13 декабря 2011 года № 262 изменен тип и наименование Центра: с "Учреждения Российской академии наук Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН" на "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук" (НТЦ микроэлектроники РАН).
B сooтвeтствии с Указoм Пpезидентa Pocсийскoй Федеpaции oт 15 мaя 2018 r. № 215 "О стpyктypе федеpальныx opганoв исполнительной влacти" и pаспоряжением Пpaвительcтвa Poссийскoй Фeдepaции oт 27 июня 2018 г. № 1293-p Цeнтр пepедан в ведение Mинистepствa наyки и высшегo образования Pocсийскoй Федеpaции.
Научно-методическое руководство НТЦ микроэлектроники РАН и координацию проводимых исследований осуществляют: Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН).
Научная деятельность НТЦ микроэлектроники РАН лежит в области исследований методов эпитаксиального выращивания и диагностики полупроводниковых наногетеоструктур, изучения физических основ работы приборов на основе наногетероструктур, а также включает разработку новых типов опто- и микроэлектронных приборов и последующее продвижения их в промышленность.
