УЧРЕЖДЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ
ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РАН
Главная

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской Академии наук (прежнее название Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе) был создан в соответствии с постановлением Президиума Академии наук СССР № 75от 19 марта 1991 г. с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.  

Постановлением Президиума Российской академии наук от 13 декабря 2011 года №262 изменен тип и наименование Центра с Учреждения Российской академии наук Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН на Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН).  

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. №253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. №2591-р Центр передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).  

НТЦ микроэлектроники РАН является структурным звеном Российской академии наук, входит в состав организаций, объединяемых Учреждением Российской академии наук Санкт-Петербургским научным центром РАН.  

Научно-методическое руководство НТЦ микроэлектроники РАН и координацию проводимых исследований осуществляют Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН) и, в пределах делегированных Президиумом РАН полномочий, Санкт-Петербургский научный центр РАН  

Научная деятельность НТЦ микроэлектроники РАН лежит в области исследований методов эпитаксиального выращивания и диагностики полупроводниковых наногетеоструктур, изучения физических основ работы приборов на основе наногетероструктур, а также включает разработку новых типов опто- и микроэлектронных приборов и последующее продвижения их в промышленность  

 

 

 

 

Читать дальше  

 

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ И ДОСТИЖЕНИЯ

 

В настоящее время НТЦ микроэлектроники РАН ведет исследования по следующим направлениям:  

 

• физика и технология твердотельных наноструктур;  

• физика и технология элементной базы микро- и наноэлектроники;  

• разработка и создание научно-технологического оборудования для  

микро- и наноэлектроники;  

• экспериментальная техника, новые методы в технологии, технике, медицине  

и экологии, в том числе с использованием элементной базы  

микро- и наноэлектроники.  

 

(утверждены постановлением Президиума РАН №154 от 09.06. 2009 г.)  

 

Деятельность НТЦ микроэлектроники РАН направлена на выполнение фундаментальных научных исследований и прикладных разработок в области «Индустрия наносистем и материалов», входящей в «Перечень приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в Российской Федерации». Направления работ НТЦ микроэлектроники РАН соответствуют разделам 7, 10 Основных научных направлений Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН:  

(7) Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров. Материалы для микро- и наноэлектроники. Нано- и микро-системная техника. Твердотельная электроника;  

-(10) Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника  

 

Читать дальше