ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU

О КОМПАНИИ

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской Академии наук (прежнее название Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе) был создан в соответствии с постановлением Президиума Академии наук СССР № 75 от 19 марта 1991 г., с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.

Постановлением Президиума Российской Академии наук от 13 декабря 2011 года № 262 изменен тип и наименование Центра: с "Учреждения Российской Академии наук Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН" на "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской Академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН)".

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Центр передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

НТЦ микроэлектроники РАН является структурным звеном Российской Академии наук, входит в состав организаций, объединяемых Учреждением Российской Академии наук Санкт-Петербургским научным центром РАН.

Научно-методическое руководство НТЦ микроэлектроники РАН и координацию проводимых исследований осуществляют: Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН) и, в пределах делегированных Президиумом РАН полномочий, Санкт-Петербургский научный центр РАН.

Научная деятельность НТЦ микроэлектроники РАН лежит в области исследований методов эпитаксиального выращивания и диагностики полупроводниковых наногетеоструктур, изучения физических основ работы приборов на основе наногетероструктур, а также включает разработку новых типов опто- и микроэлектронных приборов и последующее продвижения их в промышленность.

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ И ДОСТИЖЕНИЯ

В настоящее время НТЦ микроэлектроники РАН ведет исследования по следующим направлениям:

(утверждены постановлением Президиума РАН № 154 от 09.06. 2009 г.)

Деятельность НТЦ микроэлектроники РАН направлена на выполнение фундаментальных научных исследований и прикладных разработок в области «Индустрия наносистем и материалов», входящей в «Перечень приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в Российской Федерации». Направления работ НТЦ микроэлектроники РАН соответствуют разделам 7, 10 Основных научных направлений Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН:

- (7) Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров. Материалы для микро- и наноэлектроники. Нано- и микро-системная техника. Твердотельная электроника;

- (10) Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.