ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU

Тематика

НТЦ микроэлектроники РАН ведет фундаментальные научные исследования и прикладные разработки по направлениям 4.7 «Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, микросистемная техника, твердотельная электроника» и 4.10 «Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника» Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, по Программе фундаментальных исследований Президиума РАН № 21 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов», по Программе научных исследований СПбНЦ РАН, по Государственным контрактам с Федеральным агентством по науке и инновациям и Федеральным агентством по образованию, а также в рамках хоздоговоров и договоров о научно-техническом сотрудничестве.

Основные области исследований и достижения за последние годы:

1

Исследование механизмов формирования наноструктур в широкозонных соединениях на основе нитрида галлия AlInGaN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и изучение их структурных и оптических свойств.

2

Исследование процессов генерации и переизлучения света в AlInGaN наногетероструктурах с набором квантовых ям разной глубины. Разработка наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов УФ, синего и зеленого диапазонов, а также монолитных белых светодиодов.

3

Исследование механизмов формирования узкозонных наногетероструктур на основе InP, GaSb, InAs, InSb и их твердых растворов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.

4

Разработка диагностики тепловых процессов в мощных микро- и оптоэлектронных приборах на основе наногетероструктур методом ИК-микроскопии. Моделирование и экспериментальное исследование тепловых процессов в мощных полупроводниковых светоизлучающих приборах на основе наногетероструктур.

5

Комплексное исследование механизмов деградации высокоэффективных светоизлучающих диодов на основе квантоворазмерных наногетероструктур.