ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
На общем собрании членов Российской академии наук Президент РАН Красников Г.Я. отметил успехи НТЦ микроэлектроники РАН в области разработки технологии III-N гетероструктур на подложках кремния диаметром до 200 мм.
