ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
Национальный проект Наука и университеты
EN / RU ОНИТ РАН

7 апреля 2021
Лидеры России

31 марта 2021 года началась регистрация на четвёртый конкурс «Лидеры России» - флагманский проект президентской платформы «Россия - страна возможностей».


19 марта 2021
Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук
академика РАН Красникова Геннадия Яковлевича.


9 марта 2021
Поздравления НТЦ микроэлектроники РАН

Поздравительный адрес
от Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства
Санкт-Петербурга Максимова Андрея Станиславовича.


9 марта 2021
Юбилей НТЦ микроэлектроники РАН

В марте 2021 года исполняется 30 лет со дня основания Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук.


8 февраля 2021

29 декабря 2020

14 декабря 2020
Объявление

22 декабря (вторник) в 14.00 состоится защита кандидатской диссертации на заседании диссертационного совета У.03.01.02 федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(специальность 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: г. Санкт-Петербург, ул. Хлопина 11, корп. 1, Высшая школа биомедицинских систем и технологий, ауд. 209

Защита будет проходить в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте https://www.spbstu.ru/dsb/07b6-thesis.pdf ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».


7 декабря 2020
Объявление

10 декабря (четверг) в 16.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Вознюк Г.В., м.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


3 декабря 2020
Объявление

9 декабря (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах")

Докладчик: Неженцев А.В., инженер, Кафедра квантовой физики и наноэлектроники, НИУ "МИЭТ".

Семинар будет проводиться в дистанционном режиме в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


20 октября 2020
Объявление

28 октября (среда) в 15.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Моделирование состава и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов тройных соединений III-V".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Лещенко Е. Д., ассистент факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники, Университет ИТМО.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

Для участия онлайн необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.


22 сентября 2020
Система Менеджмента Качества

В НТЦ микроэлектроники РАН установлена политика и цели организации в области качества, разработана и внедрена документированная система менеджмента качества (СМК) как средство, обеспечивающее соответствие продукции установленным требованиям и способствующее постоянному повышению ее качества.
Органом по сертификации Автономная некоммерческая организация «Институт испытаний и сертификации вооружения и военной техники» (АНО «ИнИС ВВТ») был проведен аудит системы менеджмента качества организации по результатам которого был выдан сертификат соответствия требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2015 и ГОСТ РВ 0015-002-2012 в Системе добровольной сертификации «Военный стандарт» в области исследования, разработки и производства эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов в соответствии с кодами ЕК 001-2020 5850, 5860, 5915, 5961, 5963, 5980, 5996, 6032, 6035, 6230, 6625, 6640, 6650, 7010, 7025, 7042, 9810.




23 июня 2020
Объявление

29 июня (понедельник) в 14.00 состоится семинар НТЦ Микроэлектроники РАН:

Тема: "Создание динамически управляемых светодиодных источников света для задач прикладной биофизики".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 03.01.02 Биофизика)

Докладчик: Аладов А. В., с.н.с., НТЦ Микроэлектроники РАН.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


9 мая 2020
Поздравление с 9 мая!

«Уважаемые ветераны, труженики тыла и дети войны! Дорогие друзья! Поздравляем вас с 75-летием Победы в Великой Отечественной войне! Указом Президента Российской Федерации от 8 июля 2019 г. №327 2020 год объявлен Годом памяти и славы


28 января 2020
Объявление

30 января (четверг) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и создание композитных материалов с использованием коллоидных наночастиц металлов".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»)

Докладчик: Илькив И. В., м.н.с., лаб. Наноэлектроники, СПбАУ РАН.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


27 января 2020
Поздравление

27 января – День полного освобождения Ленинграда от фашистской блокады (1944 год).
Дорогие ветераны! Примите сердечные поздравления с важнейшей датой в исторической летописи нашей страны.
Мы низко кланяемся вам, дорогие ветераны, за то, что вы подарили нам возможность мирно жить и трудиться в сильной, свободной и независимой стране.

27 января 1944 года Ленинград салютовал 24 залпами из 324 орудий в честь полной ликвидации вражеской блокады - разгрома немцев под Ленинградом.

Городу-герою

Я прохожу по улицам твоим,
Где каждый камень — памятник героям.
Вот на фасаде надпись: «Отстоим!»
А сверху «р» добавлено: «Отстроим!»
С. Маршак


31 декабря 2019

10 июля 2019
Объявление

17 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Гибридные структуры на основе III-V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)

Докладчик: Резник Р. Р., м.н.с., СПбАУ РАН, Университет ИТМО.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


8 июля 2019
Объявление

15 июля (понедельник) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема:  "Исследование спонтанного излучения в периодических наноструктурах".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»)

Докладчик: Иванов К. А., инженер, Университет ИТМО, МНЦ функциональных материалов и устройств оптоэлектроники.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.


26 июня 2019
Объявление

3 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»)

Докладчик: Федотов С. Д., научный сотрудник, ЛАИРТ АО «Эпиэл», Институт НМСТ НИУ МИЭТ.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.



21 июня 2019
Защита

27 июня (четверг) 2019 г. в 10:00 на заседании диссертационного совета Д 002.205.02 при ФТИ им. А.Ф. Иоффе состоится защита диссертации на тему «Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда» на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 физика полупроводников.  
Соискатель к.ф.-м.н., Цацульников Андрей Федорович.
Место проведения: Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26, Большой актовый зал главного здания ФТИ им. А.Ф. Иоффе.



Новости 21 - 40 из 196
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец