ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU

ПРОЕКТЫ, ГРАНТЫ, КОНТРАКТЫ

НТЦ микроэлектроники РАН проводит фундаментальные научные исследования в соответствии с Программой фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы в области физики и технологии твердотельных наноструктур, физики и технологии элементной базы микро- и наноэлектроники.

1

В рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»:

* Соглашение о предоставлении субсидии от 05.06.2014 № 4.607.21.0010 с Минобрнауки. Тема «Разработка методов и аппаратуры для исследования и контроля тепловых процессов в мощных полупроводниковых излучающих приборах на основе гетероструктур». Руководитель – к.т.н. А.Л. Закгейм, период выполнения 2014-2016 гг.

* Соглашение № 14.607.21.0003 от «05» июня 2014 г. Тема «Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения». Руководитель – к.ф.-м.н. А.Ф. Цацульников, период выполнения 2014-2016 гг.

2

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 24 «Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов»:

* Тема «Компьютерное моделирование и экспериментальное исследование процессов свето-, токо- и теплораспределения в мощных излучающих кристаллах на основе InGaN наногетероструктур». Руководитель – к.т.н. А.Л. Закгейм.

* Тема «Наногетероструктуры для монолитных белых светодиодов на основе широкозонных соединений нитрида галлия». Руководитель – к.ф.-м.н. М.Н. Мизеров.

3

В соответствии с 40 пунктом программы ФНИ «Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров. Материалы для микро- и наноэлектроники. Нано- и микросистемная техника. Твердотельная электроника»

* Тема № 40.1. «Теоретический анализ и экспериментальное исследование профилей распределения яркости излучения, плотности тока и температуры саморазогрева в излучающих кристаллах на основе квантоворазмерных наногетероструктур и оценка их влияния на предельные энергетические характеристики приборов». № г.р. 01201375081. Руководитель – к.т.н. А.Л. Закгейм, период выполнения 2013-2015 гг.

* Тема № 40.2. «Теоретический анализ, компьютерное моделирование, экспериментальное исследование электрофизических, оптических и тепловых свойств высокоэффективных излучающих кристаллов на основе AlGaInN многоямных наногетероструктур». № г.р. ____________. Руководитель – к.т.н. А.Л. Закгейм, период выполнения 2016-2017 гг.

4

В соответствии с 43 пунктом программы ФНИ «Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика наноэлектроника и нанофотоника»

* Тема № 43.3. «Разработка феноменологической модели процесса деградации электролюминесценции в мощных высокоэффективных светоизлучающих диодах на основе квантоворазмерных наногетероструктур InGaN/GaN». № г.р. 01201375082. Руководитель – д.ф.-м.н. Н.М. Шмидт, период выполнения 2013-2015 гг.

* Тема № 43.4. «Исследование процессов транспорта носителей и генерации излучения в светоизлучающих InGaN квантоворазмерных гетероструктурах с целью повышения эффективности светодиодов желто-зеленого спектрального диапазона». № г.р. 01201375083. Руководитель – к.ф.-м.н. М.Н. Мизеров, период выполнения 2013-2015 гг.

* Тема № 43.5. «Исследование механизмов формирования наноструктур в решеточно-несогласованной системе материалов InAlGaN и изучение возможности управления упругими напряжениями с целью выяснения их влияния на оптические и электронные свойства наногетероструктур». № г.р. 01201375084. Руководитель – к.ф.-м.н. А.Ф. Цацульников, период выполнения 2013-2015 гг.

* Тема № 43.6. «Изучение методов селективной эпитаксии InGaAlN гетероструктур». № г.р. 1.114101370158. Руководитель – к.ф.-м.н. А.Ф. Цацульников, период выполнения 2014-2016 гг.

* Тема № 43.7. «Исследования процессов эпитаксиального роста и свойств гетерострукутр на основе нитрида галлия, выращенных на подложках кремния для реализации высокого структурного совершенства и высокой эффективности излучения». № г.р. ___________. Руководитель – к.ф.-м.н. М.Н. Мизеров, период выполнения 2014-2016 гг.

* Тема № 43.8. «Нелинейные свойства А3N наноматериалов и их проявления в рекомбинационных и деградационных процессах в высокоэффективных светодиодах на основе квантоворазмерных наногетероструктур InGaN/GaN». № г.р. _____________. Руководитель – д.ф.-м.н. Н.М. Шмидт, период выполнения 2016-2017 гг.

* Тема № 43.9. «Теоретический анализ, компьютерное моделирование, экспериментальное исследование элементов интегральной нанофотоники, базирующихся на волноводных наногетероструктурах А3В5». № г.р. _____________. Руководитель – к.ф.-м.н. В.П. Евтихиев, период выполнения 2014-2016 гг.

* Тема № 43.10. «Развитие физических основ технологии изготовления элементов нанофотоники и электроники с помощью прямой ионной литографии и локального эпитаксиального роста гетероструктур А3В5». № г.р. ____________. Руководитель – к.ф.-м.н. В.П. Евтихиев, период выполнения 2014-2016 гг.