26 сентября 2024

Член-корреспондент РАН Виктор Михайлович УСТИНОВ

С глубочайшим прискорбием сообщаем, что 25 сентября 2024 г. на 67-м году жизни после тяжелой болезни скончался выдающийся специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, ученый с мировым именем, лауреат Государственной премий РФ, премии Правительства Санкт-Петербурга, заместитель директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе по научной работе в 2009 – 2015 гг., директор НТЦ микроэлектроники РАН, Член-корреспондент РАН
Виктор Михайлович УСТИНОВ

12 июня 2024

ОНИТ РАН-2024

27 мая 2024 года на общем собрании ОНИТ РАН вице президент РАН, академик секретарь ОНИТ РАН академик Панченко В.Я. вручил Почётную Грамоту Президента РФ директору НТЦ микроэлектроники РАН чл.-корр. РАН Устинову В.М. в связи с 300-летием РАН

31 мая 2024

Собрание членов РАН

На общем собрании членов Российской академии наук Президент РАН Красников Г.Я. отметил успехи НТЦ микроэлектроники РАН в области разработки технологии III-N гетероструктур на подложках кремния диаметром до 200 мм.

25 апреля 2024

У академика РАН Андрея Рудского 2

У академика РАН Андрея Рудского - часть 2

19 апреля 2024

У академика РАН Андрея Рудского

У академика РАН Андрея Рудского

29 марта 2024

Диплом ОФН РАН

Научная комиссия по фотонике ОФН РАН отметила ДИПЛОМОМ важнейшие результаты 2023 года в области фотоники, представленные НТЦ микроэлектроники РАН

Диплом

28 июня 2023

Расширение сертификата СМК (ГОСТ РВ 0015-002-2020)

Получено подтверждение расширения области распространения сертификата соответствия СМК на требования стандарта ГОСТ РВ 0015-002-2020

24 мая 2023

Достижения за 2022

23 мая 2023 года на Общем собрании Российской академии наук Президентом РАН Геннадием Яковлевичем Красниковым была отмечена в числе достижений 2022 года работа коллектива НТЦ микроэлектроники РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Цацульникова Андрея Федоровича (Заварин Е.Е., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В.) по теме:

«Технология эпитаксиального роста гетероструктур на основе нитрида галлия для транзисторов и светодиодов на подложках кремния диаметром до 150 мм»

23 мая 2023

ОБЩЕЕ СОБРАНИЕ НАУЧНЫХ РАБОТНИКОВ

  «25» мая 2023 года  в  12:00
Состоится общее собрание научных работников

НТЦ микроэлектроники РАН

ПОВЕСТКА ДНЯ:
Избрание новых членов Ученого совета вместо выбывших

18 мая 2023

Роль науки в обеспечении технологического суверенитета

27 апреля 2023 года

Президент Российской академии наук, академик РАН Геннадий Яковлевич Красников в интервью «Российской газете» рассказал о роли науки в обеспечении технологического суверенитета, организации научной экспертизы и взаимодействии Российской академии наук с другими центрами науки и высшего образования.
Российская газета - Спецвыпуск: Наука и технологии №87 (9032) «Говорили о самом остром и злободневном: роль науки в обеспечении технологического суверенитета, организация в стране научной экспертизы - c акцентом на проекты федерального масштаба, взаимодействие РАН с другими центрами российской науки и высшего образования. А началась беседа с вопроса,
который был и остается на слуху у многих …»

https://rg.ru/2023/04/21/konstruktivnoe-nachalo.html

5 мая 2022

С Днем Победы!

9 мая – День Победы!

Для нас для всех это не просто победа в борьбе с фашизмом, а самая настоящая великая победа, которая действительно много значит для любого гражданина нашей страны. Эта война коснулась каждую семью, поэтому и победа является достоянием нашей Родины.

Уважаемые коллеги, с Днем Победы в Великой Отечественной войне!

12 апреля 2022

12 апреля мы отмечаем День космонавтики. С праздником, друзья!

8 февраля 2022

День Российской Науки

08 февраля 2022 г,  состоялся круглый стол, посвященный дню Российской Науки.

9 декабря 2021

Награждение ведомственными наградами

Особо отличившийся и внесший значительный вклад в научные исследования и разработки Аладов Андрей Вальменович, старший научный сотрудник Лаборатории оптоэлектронных приборов, награжден ведомственной наградой Министерства науки и высшего образования Российской Федерации медалью «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития».

Особо отличившаяся и внесшая значительный вклад в экономическое обеспечение деятельности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук Фоминых Наталья Ивановна, главный экономист, награждена ведомственной наградой Министерства науки и высшего образования Российской Федерации медалью «За безупречный труд и отличие» III степени.

22 октября 2021

Список выдвигаемых кандидатов

Список выдвигаемых кандидатов в состав Учёного совета НТЦ микроэлектроники РАН
БАУМАН Дмитрий Андреевич, к.ф.-м.н., профессор, ИТМО
ЕГОРОВ Антон Юрьевич, д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН, проректор по науке, СПБАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова
КОПЬЕВ Петр Сергеевич, д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН, главный научный сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
ЛУНДИН Всеволод Владимирович, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
МАЛЕЕВ Николай Анатольевич, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
МИЗЕРОВ Михаил Николаевич, к.ф.-м.н., заведующий НТО, старший научный сотрудник, НТЦ микроэлектроники РАН
ЦАЦУЛЬНИКОВ Андрей Фёдорович, д.ф.-м.н., заместитель директора по научной работе, заведующий лабораторией, НТЦ микроэлектроники РАН
ЧЕРНЯКОВ Антон Евгеньевич, к.ф.-м.н., руководитель ЦКП, старший научный сотрудник, НТЦ микроэлектроники РАН

18 октября 2021

Объявление

28.10.2021 г. проводится общее собрание научных работников Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук по вопросу избрания Учёного совета НТЦ микроэлектроники РАН.
Время (интервал) для проведения голосования с 11:15 по 14:15.
Место для голосования (регистрации бюллетеней) – помещение №608, 6-ой этаж Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (гор. С-Петербург, Политехническая улица, дом №26, литера З).
Внимание!
Сведения о выдвигаемых кандидатах в состав Учёного совета должны быть представлены Учёному секретарю Закгейму А.Л. в срок не позднее 21.10.2021 г.
Обсуждение выдвигаемых кандидатов в состав Учёного совета проводится исключительно внутри коллективов структурных подразделений (лабораториях, отделе).

6 октября 2021

Объявление

13 октября (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111)".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников)

Докладчик: Шубина К. Ю., м.н.с., лаб. наноэлектроники, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 604 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.

1 октября 2021

Общее собрание научных работников НТЦ микроэлектроники РАН

Уважаемые коллеги! В период с 01.10. по 07.10.2021 года проводится общее собрание научных работников НТЦ микроэлектроники РАН по вопросу внесения изменений в устав для приведения его в соответствие с нормами Федерального закона №157-ФЗ путем открытого заочного голосования. Выданный опросный лист для голосования должен быть каждым научным работником подписан лично и предоставлен в помещение №608в, 6-ой этаж Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (гор. С-Петербург, Политехническая улица, дом №26, литера З) либо сканирован с оригинала подписанного опросного листа в виде файла с расширением «pdf» и отправлен по адресу электронный почты: info@ntcm-ras.ru в срок не позднее 14:00 07.10.2021 г.
Приказ от 30.09.2021 г. №37 «О проведении общего собрания научных работников»

25 августа 2021

Год науки и технологий

Август месяц ознаменован  «КЛИМАТ И ЭКОЛОГИЯ» в рамках Года Науки и Технологий
В НТЦ микроэлектроники РАН состоялся семинар на тему "Свето-Экология". На семинаре представлены результаты исследований влияния спектральных характеристик света на контрастную визуализацию цветных объектов.  

22 июля 2021

Объявление

28 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Изготовление и исследование гибридных металл-диэлектрических наноструктур с органическими светоизлучающими слоями".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния)

Докладчик: Морозов К.М., аспирант, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 602 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.