Объявление

13 октября (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники РАН и лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе:

Тема: "Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111)".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников)

Докладчик: Шубина К. Ю., м.н.с., лаб. наноэлектроники, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова.

Семинар будет проводиться в очно-дистанционном режиме в комнате 604 корп. Микроэлектроники блок Б и в виде онлайн-конференции на платформе Zoom.

Для получения доступа необходимо прислать письмо на адрес s.usov@mail.ioffe.ru.