Приказ

Создание Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе в соответствии с постановлением Президиума Академии наук СССР № 75, с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.