ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
Национальный проект Наука и университеты
EN / RU ОНИТ РАН

Член-корреспондент РАН Виктор Михайлович УСТИНОВ

Виктор Михайлович Устинов родился 01 июля 1958 года. Он широко известный специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, автор и соавтор более 550 научных работ, в том числе 1 монографии и 6 патентов. Виктор Михайлович работал в ФТИ им. А. Ф. Иоффе с 1981 года после окончания с отличием базовой кафедры Оптоэлектроники ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина) при ФТИ им. А. Ф. Иоффе, которой до настоящего времени и руководил. С 2016 года возглавляет Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук. Его научные интересы лежали в области исследований физических свойств и технологии синтеза гетероструктур полупроводниковых соединений А3В5 с квантово-размерными эффектами и приборов на их основе. Виктором Михайловичем были разработаны технология синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками. Были исследованы структурные, физические и оптические характеристики полупроводниковых квантовых точек. Был обнаружен ряд физических эффектов, уникальных для объектов с трехмерным квантованием носителей заряда. На основе проведенных исследований были созданы инжекционные лазеры на квантовых точках и исследованы их свойства, были продемонстрированы сверхнизкая пороговая плотность тока, высокая дифференциальная эффективность и высокая выходная оптическая мощность. Также Виктором Михайловичем были разработаны инжекционные лазеры на квантовых точках для применений в системах волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), по своим характеристикам превосходящие существующие в настоящее время лазеры на квантовых ямах. Впервые были созданы вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) на квантовых точках, характеристики которых соответствуют требованиям применений в ВОЛС. Таким образом создались научно-технологические основы для разработки полупроводниковых инжекционных лазеров нового поколения. За этот цикл работ В.М. Устинову в 2001 году была присуждена Государственная Премия Российской Федерации в области науки и техники. В 2006 году В.М. Устинов был избран членом-корреспондентом РАН. В последние годы научная работа В.М. Устинова была сконцентрирована в области разработки технологии синтеза новых полупроводниковых материалов и светоизлучающих приборов на их основе. В частности, была разработана технология выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур на основе нитрида галлия для эффективных зеленых светодиодов. Были получены пионерские результаты по разработке монолитных (без люминофора) белых светодиодов с высокими индексами цветопередачи и RGB белых источников света с управляемыми характеристиками. Продолжаются разработки новых типов вертикально-излучающих лазеров на основе квантовых ям и квантовых точек, обладающих сверхвысоким быстродействием, высокой мощностью излучения. Созданы сверхбыстродействующие вертикально-излучающие лазеры для систем передачи информации, а также ВИЛ для компактных систем навигации и стандартов частоты с уникальными характеристиками. Разработана технология получения полупроводниковых гетероструктур для малошумящих и мощных СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем в см и мм диапазонах, генераторов, детекторов и умножителей частоты в ТГц диапазоне. Научные работы В.М. Устинова получили широкое признание как в России, так и за рубежом. Он неоднократно выступал с приглашенными докладами на Российских и международных конференциях, являлся членом программных комитетов ряда международных и российских конференций, выступал с докладами на научных сессиях ОФН РАН и ОНИТ РАН. В.М. Устинов являлся членом Научного совета РАН «Квантовые технологии», членом Научного совета ОФН РАН по физике полупроводников, Ученых Советов ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж.И. Алферова, Института аналитического приборостроения РАН. В.М. Устинов являлся главным редактором журнала "Письма в ЖТФ" и членом редколлегии журнала «Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника». В.М. Устинов был удостоен рядом международных и Российских научных премий. В их числе Премия за лучшую научную работу журнала Journal of Quantum Electronics за 2001 год, Главная Премия МАИК «Наука» за лучшую серию статей за 2001 год, Премия Elsevier Science Award наиболее публикуемому автору в Российской Федерации в области науки и технологии 2003-2005 гг. В 2021 году он получил Премию Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации «Нанотехнологии – премия им. Ж.И. Алферова». Память об Викторе Михайловиче Устинове – замечательном ученом и талантливом организаторе науке, навсегда останется с нами. Глубочайшие соболезнования всем, кто знал Виктора Михайловича, его коллегам, друзьям, родным и близким!


Соболезнования – МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Друзья, коллеги и ученики.

Возврат к списку