ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU ОНИТ РАН

Объявление

3 июля (среда) в 15.00 состоится совместный семинар НТЦ Микроэлектроники и Лаборатории Физики Полупроводниковых Гетероструктур:

Тема: "Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками".
(по материалам кандидатской диссертации по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»)

Докладчик: Федотов С. Д., научный сотрудник, ЛАИРТ АО «Эпиэл», Институт НМСТ НИУ МИЭТ.

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

Возврат к списку