ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
EN / RU ОНИТ РАН

Объявление

21 февраля (четверг) в 12.00 в НТЦ микроэлектроники РАН пройдет семинар:

"Гетероструктуры со стимулированным фазовым распадом на основе III-N соединений"

Докладчик: Цацульников А.Ф., к.ф.-м.н., НТЦ Микроэлектроники РАН (по материалам докторской диссертации).

Место проведения: комната 604, корпус Микроэлектроники, блок Б.

Возврат к списку