ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
Национальный проект Наука и университеты
EN / RU ОНИТ РАН

О компании/ОФИЦИАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ

Полное название:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук

Краткое название:
НТЦ микроэлектроники РАН

Название на английском языке:
Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, RAS

Краткое название на английском языке:
SHM R&E Center, RAS

ИНН: 7802030940
КПП: 780201001
ОГРН 1037804013983 дата присвоения 3 января 2003 г.
ОКПО 13186532
ОКОНХ 95110
ОКОГУ 1330612
ОКАТО 40265000000
ОКФС 12
ОКОПФ 75103
ОКВЭД 72.19
ОКТМО 40315000000

Юридический адрес:
Российская Федерация, 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая улица, д. 26, 
литера З, кабинет 608

Свидетельство о внесении записи в ЕГР № 1037804013983 от 03.01.2003 г.

Банковские реквизиты:

Номер казначейского счета: 03214643000000017200
СЕВЕРО-ЗАПАДНОЕ ГУ БАНКА РОССИИ // УФК по Г. САНКТ-ПЕТЕРБУРГУ
г. Санкт-Петербург
БИК 014030106
Единый казначейский счет: 40102810945370000005

Получатель: УФК по г. Санкт-Петербургу (НТЦ микроэлектроники РАН, л/сч 20726Ц57720)