О ЦКП

Центр Коллективного Пользования научным оборудованием «Элементная база радиофотоники и наноэлектроники: технология, диагностика, метрология» создан в 2015 году на базе Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук с целью эффективного использования и развития научно-экспериментальной и приборно-методической базы и кадрового потенциала учреждения для обеспечения комплексных фундаментальных и прикладных научных исследований и с учетом выполнения большого количества заказных работ для сторонних организаций в режиме коллективного пользования на договорной основе.

Виды проводимых исследований

В настоящее время НТЦ микроэлектроники РАН ведет исследования по следующим направлениям:

1. Эпитаксиальный рост гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов
2. Вторично-ионный микроанализ
3. Оже-электронная спектроскопия
4. Радиометрия и Фотометрия
5. Спектрометрия в УФ, видимом и ближнем ИК диапазоне
6. Мощность излучения (световой поток)
7. Сила излучения (сила света)
8. Угловое распределение силы излучения (силы света)
9. Спектральные и угловые зависимости коэффициентов отражения, пропускания и рассеяния
10. Колориметрия
11. Электрооптические характеристики полупроводниковых излучателей в широком температурном диапазоне
12. Интегральные характеристики излучения: спектр, мощность, квантовый выход, КПД и др.
13. Ближнее и дальнее поле излучения
14. Тепловые характеристик полупроводниковых приборов

Basic, prospecting, and applied research are carried out in the Center in the following directions

• solid nanostructures physics and technology;
• physics and technology of hardware components for micro-and nanoelectronics;
• development and production of scientific and process equipment for micro- and nanoelectronics;
• experimental technique, novel approaches in technology, engineering, medicine, and ecology including a use of hardware components for micro-and nanoelectronics.

METROLOGY AND DIAGNOSTICS

Secondary ion mass spectrometry of nanoheterostructures	Nanosystems industry
Electrical and optical characteristics of optoelectronic devices and materials	Energy efficiency, energy saving, nuclear power
Thermal characteristics of semiconductor devices	Energy efficiency, energy saving, nuclear power
Technological growth of heterostructures	Energy efficiency, energy saving, nuclear power

Сайт находится на стадии разработки