ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ
НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И
СУБМИКРОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Год Науки 2021
Национальный проект Наука и университеты
EN / RU ОНИТ РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) объявляет конкурс на замещение должности младшего научного сотрудника


Тематика исследований: Экспериментальные и теоретические исследования физических свойств и технологии эпитаксиального роста наногетероструктур на основе соединений III-V в системе материалов In/Al/Ga/N. В частности, исследование состава, морфологии и кристаллической структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Анализ экспериментальных и теоретических исследований с использованием современных технических и программных средств обработки информации для гетероструктур III-V в системе материалов In/Al/Ga/N и опто- и микроэлектронных приборов на их основе.

  • Начало приема заявок: 25.12.2023 г.
  • Окончание приема заявок: 16.02 (не ранее 20 дней с даты размещения)
  • Дата проведения конкурса: 27.02.2024 г. (не более 15 дней с даты окончания приема заявок)

  • Задачи и критерии:
     Задачи: Проведение экспериментальной и теоретической научно-исследовательской работы по отдельным разделам тем, проектов в качестве исполнителя, самостоятельно осуществляющего эксперименты, исследования, наблюдения. Осуществление сбора, обработки, анализа и обобщения результатов экспериментов и наблюдений. Обобщение научных результатов в виде статей и докладов на научных мероприятиях (школах, семинарах, конференциях и др.). Составление отчетов (разделов отчета) по теме или ее разделу (этапу).

    Критерии оценки:
    Число научных опубликованных произведений: 10 шт.
    Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования: Российский индекс научного цитирования – 10 шт.

    Квалификационные требования: Ученая степень кандидата наук или окончание магистратуры, аспирантуры и стаж работы по специальности не менее 3 лет. Наличие за последние 5 лет: - не менее 7 научных трудов: статей в рецензируемых журналах и сборниках, Участие: - в числе авторов докладов в российских и международных научных конференциях (симпозиумах) - не менее 2 - в числе исполнителей работ по программам приоритетных фундаментальных исследований РАН и ее отделений - не менее 2;

    Условия трудового договора:

    Для участия в конкурсе на замещение должности младшего научного сотрудника Научно-технического отдела НТЦ микроэлектроники РАН резюме направлять на электронную почту: info@ntcm-ras.ru или по почте: Российская Федерация, 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая улица, д. 26 Документы Положение о конкурсной комиссии Состав Конкурсной комиссии

    Документы

    Приказ